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本发明提供了一种铜薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1:对导电基底进行打磨抛光、清洗和干燥;步骤S2:对导电基底进行改性处理,改性处理方式为:在氮气或氩气中,用氙灯以1~5J/cm2的功率以平行光方式照射,或在500~700℃下加热处理,改性处理时间为1~2h;步骤S3:改性处理完成后,在铜盐电解液中,用电沉积方法在导电基底表面沉积得到铜薄膜。本发明给出了通过对导电基底进行改性处理,进而获得具有不同特性(鳞片状的疏水性、方块状的导电性等)的不同形貌铜薄膜的技术手段。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113293416 B
(45)授权公告日 2022.03.04
(21)申请号 202110584597.9 (56)对比文件
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