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本发明涉及一种半导体存储装置及其制造方法。本实施方式的半导体存储装置包括含有杂质的第1半导体层。积层体在第1半导体层的上方,将绝缘层与导电层交替地积层而构成。半导体主体在积层体的积层方向贯通积层体而到达至第1半导体层,且具有第1半导体层侧的下部区域、及位于下部区域上方的上部区域。电荷蓄积部设置在半导体主体与导电层之间。半导体主体的下部区域的杂质浓度高于该第1半导体层的杂质浓度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113314538 A
(43)申请公布日 2021.08.27
(21)申请号 202010824945.0
(22)申请日 2020.08.17
(30)优先权数据
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