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公开了在半导体器件的背侧上形成的互连结构中形成去耦电容器的方法以及包含该去耦电容器的半导体器件。在实施例中,器件包括:包括第一晶体管的器件层;位于该器件层的前侧上的第一互连结构;位于该器件层的背侧上的第二互连结构,第二互连结构包括位于该器件层的背侧上的第一介电层;穿过第一介电层延伸到第一晶体管的源极/漏极区的接触件;第一导电层,第一导电层包括经由该接触件电连接到第一晶体管的源极/漏极区的第一导电线;以及与第一导电线相邻的第二介电层,第二介电层包括k值大于7.0的材料,第一去耦电容器包括第一导电线
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113299650 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110315835.6 H01L 23/48 (2006.01)
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