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本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括在第二N+型掺杂层上沉积金属以分别形成源极和漏极。在第二N+型掺杂层上形成第一凹槽。在砷化铟镓刻蚀阻挡层和第一N型掺杂层上形成第二凹槽。在砷化铝刻蚀阻挡层上形成第三凹槽,其中,第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽连通以作为栅极凹槽。在栅极凹槽内沉积金属以形成与低能隙遂穿层接触的栅极。由于在栅极和势垒层之间插入了低能隙遂穿层,在第一N型掺杂层和第二N+型掺杂层之间设置有砷化铟镓刻蚀阻挡层,故,可以有效降低源极和漏极的欧姆接触的电阻,进而
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113284802 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110719930.2 H01L 29/47 (2006.01)
(22)申请日 2
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