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本发明公开了一种碳化硅N沟道双极型功率器件的制备方法,属于半导体器件领域。该方法首先通过在N型碳化硅衬底上依次生长P+外延层、N+缓冲层以及N‑漂移层,其次在该外延片上通过引入载流子寿命提升工艺,器件正面MOS制备工艺,器件背面衬底减薄工艺以及激光退火工艺,最终实现了碳化硅N沟道双极型功率器件的制备。该方法通过引入载流子寿命提升工艺,增强了该双极型功率器件的电导调制效应,有效降低了该器件的比导通电阻和导通损耗。同时该方法不仅避免了采用高阻P型碳化硅衬底材料,而且器件的正面制备工艺与MOSFET器
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113299552 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110473075.1 H01L 29/161 (2006.01)
(22)申请日
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