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本发明公开了一种提高锆合金表面微弧氧化成膜速率的方法,属于表面处理技术领域。该方法使用变化的频率进行锆合金微弧氧化,微弧氧化时间在1–2min之前使用的微弧氧化脉冲频率为100–1000Hz,在1–2min之后使用的微弧氧化脉冲频率为10000–30000Hz。本发明通过改变频率对锆合金表面的微弧氧化成膜速率进行控制,区别于增大电流密度提高微弧氧化的成膜速率。本发明仅通过改变频率即可实现提高微弧氧化膜层的成膜速率,操作简单。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113355715 B
(45)授权公告日 2022.07.15
(21)申请号 202110483035.5 审查员 眭乐萍
(22)申请日 2021.04.30
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