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本发明为一种基于P3HT纳米线的三端三维人造突触电子器件的制备方法。该方法包括如下步骤:将碳纳米管水分散液喷涂到贴有掩模版的氧化硅片上,得到碳纳米管层材质的电极;将掩模版取下,再向氧化硅片上涂覆离子液体溶液,干燥后揭下离子胶,得到上面分布有电极形状的碳纳米管层的离子胶衬底;在分布有电极形状的碳纳米管层的离子胶衬底表面上,通过静电纺丝方式得到的P3HT纳米线;再将第二离子胶层贴在上一步中得到材料上,获得三端三维突触电子器件。本发明得到的电子器件可以在正反等多个方向对刺激进行感应,实现了真正意义上对
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113363386 B
(45)授权公告日 2022.08.19
(21)申请号 202110625803.6 H01L 51/05 (2006.01)
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