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本发明的不同实施例涉及一种将NVM器件与逻辑或BCD器件集成的方法。在一些实施例中,隔离结构在半导体衬底中形成。隔离结构划分半导体衬底的存储区域,并且进一步地划分半导体衬底的外围区域。外围区域可诸如对应于BCD器件或逻辑器件。掺杂阱在外围区域中形成。介电密封层形成为覆盖存储区域和外围区域并且进一步覆盖掺杂阱。介电密封层从存储区域而非从外围区域去除。使用热氧化工艺在存储区域上形成存储单元结构。介电密封层从外围区域去除,并且包括栅电极的外围器件结构在外围区域上形成。本发明的实施例还提供了利用所述方法
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113345902 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110535130.5 H01L 27/11529 (2017.01)
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