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    实施方式提供一种缓和配线内的空位局部集中的情况且可靠性较高的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备第1金属配线。第1金属配线设置在衬底的上方，且以第1宽度在第1方向上延伸。至少1条第2金属配线连接于第1金属配线，且以比第1宽度窄的第2宽度从第1金属配线沿第2方向延伸。虚设金属配线与至少1条第2金属配线相邻配置，连接于第1金属配线且从该第1金属配线沿第2方向延伸。然而，虚设金属配线不电连接于第1金属配线以外的配线。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345955 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202010799755.8 (22)申请日 2020.08.11 (30)优先权数据 2020-0359

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