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2023-06-21 发布于四川
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存储器件及其铁电场效应晶体管和读取方法.pdf

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一种配置为多位存储器件的铁电场效应晶体管(FeFET)，该FeFET包括：半导体衬底，在该半导体衬底中具有源极区，在该半导体衬底中具有漏极区；栅极堆叠件在半导体衬底上，其中源极区和漏极区延伸到栅极堆叠件的相对侧，该栅极堆叠件包括在半导体衬底上方的铁电层，以及在铁电层上方的栅极区。晶体管还包括铁电层的第一端和第二端，其分别对应于源极和漏极区。铁电层包括偶极子。在铁电层的第一端的第一组偶极子具有第一极化。在铁电层的第二端的第二组偶极子具有第二极化，第二极化与第一极化基本上相反。本发明的实施例还涉及存

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113380892 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110602234.3 H01L 27/1159 (2017.01)

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