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本公开的各实施例涉及具有减少的处理步骤SIC电子器件的制造方法和SIC电子器件。一种用于制造基于SiC的电子器件的方法包括在衬底的正侧形成SiC的结构层。衬底具有沿一方向与正侧相对的背侧。电子器件的有源区域在结构层中形成，并且所述有源趋于被配置为在电子器件的使用期间生成或传导电流。第一电端子在结构层上形成并且中间层在衬底的背侧处形成。中间层通过激光束被加热用来生成局部加热，以有利于钛化合物的欧姆接触的形成。电子器件的第二电端子在中间层上被形成。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113363153 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110240820.8 H01L 29/45 (2006.01)
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