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一种钨单晶表面台阶限域二维氮化钨的制备方法.pdfVIP

一种钨单晶表面台阶限域二维氮化钨的制备方法.pdf

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    本发明涉及一种钨单晶表面台阶限域的二维氮化钨制备方法，主要包括以下步骤：对单晶W进行表面预处理；将预处理后的W衬底加热至600～670℃，并通入氨气，氨气压力为1×10‑7～1×10‑6Torr，通过表面成像仪器进行实时成像，原位观察单晶W表面氮化钨的生长，氮化钨达到所需覆盖度后，在氨气下进行降温，得到所述二维氮化钨。这种通过调变温度和气氛压力直接氮化衬底的制备方法，简单易行，制备过程中使用表面成像仪器进行实时成像，使其结构易于控制，可以扩展到其他过渡金属氮化物的可控制备，为后续氮化物薄膜材料的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113373441 B (45)授权公告日 2022.06.10 (21)申请号 202010157190.3 B82Y 30/00 (2011.01)

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