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本发明属于加工技术领域，提供了一种同步制造纳米凹坑阵列的跨尺度微纳结构加工方法。将纳米颗粒分散在光刻胶中，通过光刻工艺形成厚度与纳米颗粒直径接近的光刻胶层，以含有纳米颗粒的图形化光刻胶层为掩膜对基底进行刻蚀，胶层中的纳米颗粒可被刻蚀液腐蚀或溶解，并逐渐形成纳米孔穴，刻蚀液透过纳米孔穴对基底进行刻蚀。本发明仅需一次光刻与腐蚀工艺，即可在基底上同时构建具有微米或几百纳米的功能结构以及在功能结构表面具有纳米特征尺寸的凹坑结构。简化了制造工艺流程、降低了加工成本，有利于批量化制造。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113336186 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110558110.X
(22)申请日 2021.05.21
(71)申请人 大连理工大学
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