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本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板、一导电部件、一重分布层、至少一硅穿孔插塞、以及至少一凸块。该导电部件设置于该基板的一前表面之上，且该重分布层设置于与该前表面相对的一后表面之上。该硅穿孔插塞穿过该基板并接触内埋于一绝缘层中的该导电部件。该凸块接触该重分布层和该硅穿孔插塞并作为两者之间的电性连接。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113345857 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110167970.0
(22)申请日 2021.02.07
(30)优先权数据
16/793,06
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