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本申请实施例公开了一种地址线的测试样品及其测试方法,方法包括:提供具有裸露的地址线层的半导体结构;地址线层包含多条均沿第一方向延伸且相距第一距离的地址线;在其中一条地址线的至少一侧形成标记;形成覆盖地址线的绝缘层;基于标记,确定地址线层中的第一区域、第二区域、第三区域以及第四区域;其中,第一区域与第二区域的连线与第一方向平行;第三区域与第四区域分别位于第一区域的两侧,且第一区域与第三区域及第四区域沿与第一方向垂直的第二方向的间距均为第一距离;去除覆盖第一区域、第二区域、第三区域、第四区域的部分绝
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113345509 B
(45)授权公告日 2022.05.13
(21)申请号 202110570174.1 H01L 23/544 (2006.01)
(22)申请日 2021.0
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