磁畴壁移动元件、磁记录阵列和半导体装置.pdfVIP

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2023-06-21 发布于四川
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本实施方式的磁畴壁移动元件包括：第1铁磁性层；向第2方向延伸、能够进行磁记录的第2铁磁性层；非磁性层；以及具有第1中间层的第1导电部和具有第2中间层的第2导电部，所述第1中间层在第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现第1磁化方向的第1磁化区域和表现与所述第1磁化方向不同的第2磁化方向的第2磁化区域夹持，所述第2中间层在所述第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现所述第2磁化方向的第3磁化区域和表现所述第1磁化方向的第4磁化区域夹持，在沿着所述第1方向和所述第2方向的截断面，所述第1磁化区域的面积比

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113366662 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202080010360.3 (74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限

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