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本发明公开了一种SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜、制备方法及其应用,属于传感器材料制备领域。本发明的制备方法,将PS模板浸泡使得SnCl4·5H2O溶液填充PS微球之间的空隙,之后进行退火,使得PS球气化,形成SnO2大孔薄膜;之后进行水热反应,在保持规则排列的SnO2大孔结构的基础上,引进MoS2纳米片,通过调控,使得PS模板→SnO2大孔薄膜→SnO2/MoS2大孔薄膜。本发明的SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜,孔状结构有利于气体排出,纳米片的复合使得薄膜比表面积增大,表面活性位
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113354298 B
(45)授权公告日 2022.05.24
(21)申请号 202110616541.7 CN 10849957
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