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本发明提供一种自插层钒基二维纳米片及其制备方法和应用，所述制备方法包括：以五氧化二钒、硫粉和硒粉为原料，进行化学气相沉积反应，制备所述自插层钒基十五硫硒化八钒纳米片；所述五氧化二钒、所述硫粉和所述硒粉的质量比为1:9:3～9。本发明的制备方法工艺简单、反应速度快且成本低，制备得到的自插层钒基十五硫硒化八钒V8(S1‑xSex)15纳米片面积大、纯度高，结晶性好，而且化学性质稳定，制得的自插层钒基十五硫硒化八钒纳米片能应用在场效应晶体管或者自旋电子器件等方面。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113353980 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110559391.0
(22)申请日 2021.05.21
(71)申请人 国家纳米科学中心
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