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本发明提供一种可调节导流筒及半导体晶体生长装置,导流筒包括固定部和调节部,导流筒呈桶状并绕晶棒四周设置,其中,固定部上端向外延伸的部分固定于半导体生长装置上,固定部向下延伸的部分为逐渐向晶体靠近的斜面,固定部底部为靠近液面的平面,以控制与液面的最小距离;调节部位于固定部的斜面上,调节部通过固定装置固定于固定部的斜面上,调节部用于根据需要调整与晶棒之间的最小距离。本发明在不改变其他参数的情况下,改变导流筒的调节部可以调整晶体氧含量,从而控制晶体的质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113337880 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110440189.6
(22)申请日 2021.04.19
(71)申请人 上海新昇半导体科技有限公司
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