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本发明公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置，其结构包括刻蚀机构、气源室、真空泵、驱动电机，气源室下端与刻蚀机构上端法兰连接，真空泵设于气源室下方右侧，驱动电机设于气源室下方左侧，驱动电机带动刻蚀机构内的反应室机构在壳体内部转动，气源室通过送气口输送气体，气体经送气机构的分气网进行输送至片架机构内，气体在电磁线圈的作用下产生辉光放电，反应气体与被刻蚀的材料发生化学反应，在刻蚀的同时片架是转动的，让刻蚀的材料能更充分的刻蚀，生成能够由吸气机构带走的挥发性化合物，从而实现化学刻蚀，真空泵通过吸气管道抽吸周吸
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113337895 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110457171.7
(22)申请日 2021.04.27
(71)申请人 徐丽红
地址 351
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