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一种高耐电压型薄膜电容器及其制备方法.pdfVIP

一种高耐电压型薄膜电容器及其制备方法.pdf

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    本发明涉及一种高耐电压型薄膜电容器及其制备方法，包括：对单晶硅片进行清洗；在清洗后的单晶硅片上表面制备第一SiO2薄膜；对第一SiO2薄膜进行清洗；对等离子体轰击第一SiO2薄膜表面；在清洗后的单晶硅片上表面制备第二SiO2薄膜；对第二SiO2薄膜进行热处理；在第二SiO2薄膜上制备Al2O3薄膜；在Al2O3薄膜上制备第一金属薄膜电极层；在单晶硅片的下表面制备第二金属薄膜电极层，在第一金属薄膜电极层上涂敷光刻胶、曝光；对第一金属薄膜电极层湿法刻蚀/图形化；对湿法刻蚀/图形化后的第一金属薄膜电极

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113380543 B (45)授权公告日 2022.07.22 (21)申请号 202110642331.5 H01G 4/33 (2006.01) (22)申请日 2021.

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