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2023-06-21 发布于四川
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一种具有保护环的半导体器件.pdf

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本发明涉及一种具有保护环的半导体器件。通过在形成半导体外延层之前先在所述半导体基底中第一保护环，然后再在半导体基底上外延生长一半导体外延层，进而在外延层中通过多次离子注入和多次热处理以形成第二保护环，且通过在第一保护环中形成第一金属阻挡层，且在第二保护环中形成第二金属阻挡层。且通过优化第一保护环和第二保护环的具体工艺参数，有效提高半导体器件的抗电磁波冲击能力，进而可以保护半导体器件不受损坏。且通过在所述第二环形沟槽中交替沉积金属材料和绝缘材料以形成金属/绝缘叠层，可以改善第二环形沟槽的填充效果，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363144 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110571559.X H01L 23/552 (2006.01) (22)申请日

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