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本公开涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在制造半导体器件的方法中,在要图案化的靶层之上形成金属光致抗蚀剂层,将金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案,以及通过将显影剂施加到经选择性曝光的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。金属光致抗蚀剂层是包括两种或更多种金属元素的合金层,并且选择性曝光改变了合金层的相态。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113376960 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110549003.0
(22)申请日 2021.05.20
(30)优先权数据
63/028,66
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