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2023-06-21 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成源极/漏极结构，在源极/漏极结构上方形成包括一个或多个介电层的第一层间介电(ILD)层，在第一ILD层中形成第一开口以至少部分地暴露源极/漏极结构，在第一开口的内壁上形成牺牲层，在牺牲层上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成导电层，以形成与源极/漏极结构接触的源极/漏极接触件，去除牺牲层以在第一绝缘层和第一ILD层之间形成空间，以及在源极/漏极接触件和第一ILD层上方形成第二绝缘层以覆盖空间的上部开口，从而形成气隙。本发明的实施例还涉及半导体器件。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363210 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110573593.0 H01L 27/092 (2006.01) (22)申请日

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