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本发明涉及一种用于磁阻磁场传感器的至少两个相邻布置的层结构的布置。每个层结构包括至少一个反铁磁层和具有第一磁矩的第一铁磁层。在反铁磁层和第一铁磁层之间存在交换耦合。此外,包括具有第二磁矩的第二铁磁层,其中第二铁磁层经由布置在第一和第二铁磁层之间的非磁性耦合层反平行耦合到第一铁磁层。提出了相邻布置的层结构的对应的第一铁磁层和对应的第二铁磁层的磁化强度彼此不同,特别是具有基本上彼此相反的取向。本发明还涉及具有这种层结构布置的磁阻磁场传感器,以及用于生产层结构布置和磁阻磁场传感器的方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113383243 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202080012220.X (74)专利代理机构 北京汇思诚业知识产权代理
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