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一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法.pdfVIP

一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法.pdf

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    本发明提供一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法，先将氧化锡粉先放置到能承受1800°C的高温容器中，并将其放置到氧气气氛常压炉内煅烧，得到氧化锡粉；之后将氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上；最后将氧化锡粉通过不锈钢筛格进行均匀洒落在氧化铝垫片上，并将ITO平面靶材进行放置后垫烧；采用第一次煅烧和第二次垫烧的方式来对ITO平面靶材进行生产，使其不与氧化锡粉容易产生反应；并且使用氧化锡粉末和纯度大于95%的氧化铝垫片，从而提高了生产的质量。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113372123 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110579657.8 F27B 17/00 (2006.01)

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