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本发明公开了一种半导体器件的制备方法，先在衬底上交替堆叠层间绝缘层和层间介质层形成以叠层结构，然后形成垂直贯穿叠层结构的沟道结构，再去除层间介质层形成凹槽，最后去除部分层间绝缘层，并在凹槽内填充栅极导体层。其中，在形成沟道结构之前，增加了层间绝缘层的厚度且减小了层间介质层的厚度，因此可以降低形成沟道结构的刻蚀工艺难度，且可以减小层间介质层导致的晶圆应力。另外，在最后去除了增加的层间绝缘层后，还能保证最终叠层结构中层间绝缘层和层间介质层的厚度为各自所需的厚度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113345911 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110612944.4
(22)申请日 2021.06.02
(71)申请人 长江
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