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存储单元及其操作方法.pdfVIP

存储单元及其操作方法.pdf

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    本发明的实施例公开了一种存储单元，包括写位线、写入晶体管和读取晶体管。写入晶体管连接在写位线和第一节点之间。读取晶体管通过第一节点连接至写入晶体管。读取晶体管包括铁电层。写入晶体管被配置为通过调整读取晶体管的极化状态的写位线信号来设置存储单元的存储数据值。极化状态对应于所存储的数据值。本发明的实施例还公开了一种操作存储单元的方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113380291 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110588915.9 G11C 8/14 (2006.01)

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