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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    半导体结构包括：半导体层，设置在衬底上方并且在第一方向上纵向定向；金属栅极堆叠件，设置在半导体层上方并且在垂直于第一方向的第二方向上纵向定向，其中金属栅极堆叠件包括顶部和与半导体层交错的底部；S/D部件，设置在半导体层中并且邻近金属栅极堆叠件；以及隔离结构，从衬底突出，其中隔离结构沿着第二方向纵向定向，并且沿着第一方向与金属栅极堆叠件间隔开，并且其中隔离结构包括介电层和气隙。本发明的实施例还涉及半导体结构的形成方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113380796 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110592416.7 H01L 21/8238 (2006.01) (22)申请日

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