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单栅场效应晶体管器件及调控其驱动电流的方法.pdfVIP

单栅场效应晶体管器件及调控其驱动电流的方法.pdf

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    本发明提供了一种单栅场效应晶体管器件及其电流调控方法，以解决现有技术中单栅场效应晶体管器件的驱动电流不能有效提升，无法满足应用需求的问题。该场效应晶体管包括有源层、形成于有源层两侧的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和漏极区域之间沟道区域；其中，场效应晶体管器件被设置成：在器件关闭时，于沟道区域中自发形成耗尽型的第二沟道，且第二沟道不连通所述源极区域和漏极区域；在器件开启时，于沟道区域中形成第二沟道以及与第二沟道同极性的第一沟道；且第一沟道和第二沟道的至少其中之一对其中另一注入载流子，以使源漏

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363323 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 20201

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