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本发明公开一种二维负量子电容晶体管器件及其制备方法。该二维负量子电容晶体管器件包括：衬底；埋栅，形成在所述衬底中，其上表面与所述衬底上表面持平；第三代拓扑绝缘体层，形成在所述埋栅上，长度与所述埋栅相当；高K介质层，覆盖所述第三代拓扑绝缘体层；二维沟道层，形成在所述高K介质层上，且与所述第三代拓扑绝缘体层有共同区域；源电极和漏电极，分别形成在所述衬底上、所述二维沟道层两侧，并部分覆盖所述二维沟道层，且与所述埋栅无重叠，其中，所述拓扑绝缘体层提供负量子电容，从而使栅极总电容增大，降低亚阈值摆幅。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113363316 B
(45)授权公告日 2022.03.11
(21)申请号 202110628040.0 H01L 21/44 (2006.01)
(22)申请日
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