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外延生长方法和设备.pdfVIP

外延生长方法和设备.pdf

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    本发明涉及半导体器件的制造，具体涉及外延生长方法和设备，外延生长方法为在外延生长过程中，从反应气出口侧提供进入冷却腔的冷却气。外延生长设备中包括冷却气进口，冷却气进口分布于冷却腔上靠近反应气出口侧的位置上。本发明的外延生长方法以及外延生长设备能够在300mm的硅片上一次完成50um厚膜外延的生长，且不会在反应腔上产生覆盖层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363138 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110607902.1 (22)申请日 2021.06.01 (71)申请人 上海晶盟硅材料有限公司

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