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2023-06-21 发布于四川
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本发明是关于可提高可靠性的半导体存储装置，具备：第1、第2及第3存储胞，分别能够保存与M(M为满足M≧4的整数的常数)个状态对应的数据。第1存储胞的读出动作中，经由位线读出第2存储胞的数据，在基于第2存储胞的读出结果的第2存储胞的状态为第m(m为满足M＞m＞1的整数的常数)状态的情况下，在第3字线为第1电压且第2字线为高于第1电压的第2电压的第1期间内，经由位线读出第1存储胞的数据，在基于第2存储胞的读出结果的第2存储胞的状态为第(m+1)状态的情况下，在第3字线为第1电压且第2字线为高于第2电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113362874 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202010838684.8 (22)申请日 2020.08.19 (30)优先权数据

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