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本发明的目的在于提供一种寿命特性良好的化合物半导体外延片及其制造方法。本发明的化合物半导体外延片是由p型GaAs1‑xPx(0.45≤x≤1.0)层与n型GaAs1‑xPx(0.45≤x≤1.0)层形成作为发光部的p‑n结界面，并在包含该p‑n结界面的部分形成有氮浓度固定的区域的化合物半导体外延片，在所述氮浓度固定的区域中，在2.0×1016～0.2×1016(个原子/cm3)的范围内、以从所述n型GaAs1‑xPx层向所述p型GaAs1‑xPx层的方向逐渐减少的方式掺杂作为n型掺杂剂的Te。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113345991 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110227150.6
(22)申请日 2021.03.01
(30)优先权数据
20
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