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垂直非易失存储元件和制造方法.pdfVIP

垂直非易失存储元件和制造方法.pdf

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    本发明公开了一种垂直非易失存储元件和制造方法，其中制造方法包括以下步骤：采用外延生长的方式制作垂直逻辑单元和垂直存储单元，垂直逻辑单元设置于SOI层的上方，垂直存储单元设置于垂直逻辑单元的上方，垂直逻辑单元具有GAA结构，垂直存储单元包括ONO结构。本发明基于GAA结构大幅度降低了存储单元的漏电流，减小了存储单元的面积。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363146 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202011220876.9 (22)申请日 2020.11.05 (71)申请人 上海先进半导体制造有限公司

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