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2023-06-21 发布于四川
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一种在衬底上生长外延结构的方法及外延结构.pdf

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本发明提供了一种在衬底上生长外延结构的方法及外延结构，在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层远离所述衬底的一侧上生长预备2D层；在所述预备2D层远离所述缓冲层的一侧上生长3D层；本发明在缓冲层晶胞远离缓冲层的一侧上生长预备2D层，预备2D层能够填平缓冲层上的晶胞间隙，使得缓冲层生长有预备2D层的一侧形成较大的平台，在此基础上继续生长的3D层和2D层晶体更加规整，使得之后生长的N型氮化镓结构规整，从而实现质量提高，克服现有大规格衬底上晶胞间隙小，2D层和3D层的受间隙影响不规整导致N型氮化镓层生长质量低

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363362 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110614947.1 (22)申请日 2021.06.02 (71)申请人福建兆元光电有限公司

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