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本发明涉及一种半导体封装结构及其制造方法,该制造方法包括:切割第一晶圆获得多个待封装芯片,并将获得的多个待封装芯片固定在多芯片固定支架上;测试多个待封装芯片,获得通过测试的已知合格芯片,其中,所述已知合格芯片包括第一键合层;以及通过将第一键合层与第二晶圆的第二键合层进行键合,以混合键合已知合格芯片与第二晶圆的控制器电路管芯,其中,控制器电路管芯包括第二键合层。本发明通过将不同大小、功能的存储器件键合至控制器电路管芯上,提高了半导体器件的整体性能以及产品的合格率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380640 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110636338.6 H01L 27/11 (2006.01)
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