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本申请涉及一种平面T型栅晶体管原胞结构及制作方法，该方法包括：在导电外延片上形成氧化层，在氧化层制作硅槽再生成电位平衡虚拟栅氧化层。淀积掺杂多晶，掩备多晶并刻蚀未被掩备的多晶，腐蚀氧化层再次热生长栅氧化层，回填淀积掺杂多晶，掩备预留的平面多晶硅栅，刻蚀多余多晶预留预设宽度的平面栅，掺杂注入形成原胞上的P阱结构扩散形成P阱。在P阱形成电流区结构并注入掺杂硼离子形成硼晕环，淀积掺杂氧化层，开出G极接触孔、S极接触孔、电位平衡虚拟栅接触孔的金属接触区。刻蚀S极接触孔形成浅硅槽，使浅硅槽穿过电流区结构延
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113363315 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110448665.9
(22)申请日 2021.04.25
(71)申请人 深圳深爱半导体股份有限公司
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