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本发明提出了一种适配3DTLC型NAND闪存数据存储的双目标状态消除编解码方法,通过编码器对胞元数据预处理,每个胞元内部均能够存储3比特信息,所述胞元共有8个状态N,将所述8个状态两两配对等分为4组,记为Gi;设其中一组GX为目标消除的双状态,将原始数据流按字线长度进行划分后,取4个胞元作为一个编码的码段,记录该4胞元码段中8种状态各自出现的个数num(N),根据码段中的状态组合得到重映射编码方法;将重映射编码后的信息存储到闪存的不同块中;解码器根据标志位将4胞元码段重新映射为原始数据;本发明
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113342570 B
(45)授权公告日 2022.03.08
(21)申请号 202110672534.9 G11C 29/42 (2006.01)
(22)申请日
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