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本发明公开了一种全超结MOSFET器件结构及其制造方法,包括MOSFET器件结构本体,所述MOSFET器件结构本体分为终端区和原胞区,且所述终端区和原胞区均主要包括由下到上依次布置的N外延硅衬底、第一外延层和第二外延层,且所述第二外延层的厚度大于第一外延层的厚度;所述终端区和原胞区的第二外延层内均交错设置有P柱和N柱,所述原胞区内P柱的深度小于第二外延层的厚度,所述终端区内P柱的深度大于第二外延层的厚度并延伸设置在第一外延层内;所述终端区的第二外延层上表面设置有P型区域及氧化层,所述原胞区的第二
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113345954 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110677182.6
(22)申请日 2021.06.18
(71)申请人 上海道之科技有限公司
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