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一种面向SOT-MRAM相关电路的自旋电子工艺设计系统.pdf

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    本发明的一种面向SOT‑MRAM相关电路的自旋电子工艺设计系统，通过计算机设备实现，所述设计系统包含三种文件SOT‑MTJ单元库、工艺文件和物理验证规则文件；所述SOT‑MTJ单元库包含以下四个文件：SPICE仿真模型veriloga，符号symbol模块，版图layout模块和auCdl模块；本发明的自旋电子工艺设计包囊括了SOT‑MRAM相关电路设计所必需的各种文件，可辅助完成SOT‑MRAM的电路设计和版图设计；设计规则检查和版图与原理图一致性检查文件是根据SOT‑MTJ器件的具体特性和大

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113361223 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110643868.3 (22)申请日 2021.06.09 (71)申请人 北京航空航天大学合肥创新研究院

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