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提供能进一步提高具有包围板状沟道区域的三个表面的栅极电极的半导体元件性能的半导体装置。本发明包括:半导体层;沟道区域,设在半导体层上;第一主电极区域和第二主电极区域,设为面对在沟道区域的沟道长度方向上的两个端侧;栅极绝缘膜,设在第一沟槽和第二沟槽的内壁上及在沟道区域的上表面上,第一沟槽和第二沟槽设在沟道区域的相对的两侧;栅极电极,包括隔着栅极绝缘膜嵌入在第一沟槽中的第一突出部、隔着栅极绝缘膜嵌入在第二沟槽中的第二突出部和水平部,水平部连接至第一突出部和第二突出部的上端部且隔着栅极绝缘膜设在沟道区
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113383427 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202080011584.6 (74)专利代理机构 北京信慧永光知识产权代理
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