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本发明公开了一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，包括原胞结构，原胞结构自下而上分别为N型欧姆接触电极、N型掺杂衬底、N型掺杂缓冲层、P型基区、P型掺杂发射层和P型欧姆接触电极，P型基区为碳化硅耐压基区，采用碳化硅作为P型基区，且P型基区厚度为14～22μm，非平衡载流子的运输路径大大缩短，从而减小了脉冲前沿的时间，增大了输出脉冲的电压值。同时减小了DSRD器件的损耗，大大减小DSRD器件体积，缩小脉冲系统的体积。采用碳化硅作为P型基区，能够增大器件耐压，减小开关时间，不仅可以解决单片D
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380875 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110580713.X
(22)申请日 2021.05.26
(71)申请人 西安交通大学
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