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本发明公开了一种用于优化VDMOS加工工艺的方法，该方法的最小光刻层数为4层，分别是有源区光刻、多晶硅光刻、接触孔光刻、金属层光刻；本发明利用多晶硅光刻同时定义栅极、场板图形、P‑body、N+注入图形，其中body注入图形包括结终端保护环结构。即利用多晶硅光刻同时进行有源区和结终端保护环的P注入形成P‑body，再进行N+注入，实现栅极、场板、P‑body、N+图形的定义；利用接触孔光刻先刻蚀一部分N+区形成N‑source，最后进行P+注入形成P‑body区的欧姆接触，实现N‑source、
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113363156 B
(45)授权公告日 2022.05.24
(21)申请号 202110596980.6 (56)对比文件
(22)申请日 2021.05.31
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