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成膜方法.pdfVIP

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    本发明涉及一种成膜方法。提供：可以以高生产率形成均匀性良好的氧化硅膜的技术。本公开的一方式的成膜方法为在处理容器内同时在多张基板上形成氧化硅膜的成膜方法，所述成膜方法执行包括如下步骤的多次循环：向前述处理容器内供给包含有机氨基官能化低聚硅氧烷化合物的硅原料气体的步骤；和，向调整为1～10Torr(133～1333Pa)的压力的前述处理容器内供给氧化气体的步骤。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113355652 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110193603.8 (22)申请日 2021.02.20 (30)优先权数据

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