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存储器阵列测试方法和系统.pdfVIP

存储器阵列测试方法和系统.pdf

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    本发明的实施例公开了一种存储器阵列测试方法和系统。一种测试非易失性存储器(NVM)阵列的方法，包括：将该NVM阵列加热到目标温度。在将该NVM阵列加热到该目标温度的同时，通过测量该NVM阵列的NVM单元子集的多个电流来获得电流分布，将该NVM阵列的每个NVM单元编程为逻辑高状态或逻辑低状态中的一种，并且对该NVM阵列的每个NVM单元执行第一通过/未通过(P/F)测试和第二通过/未通过(P/F)测试。基于该电流分布以及该第一P/F测试和该第二P/F测试来计算误码率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113380312 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110592130.9 (22)申请日 2021.05.28 (30)优先权数据

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