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制造基于双架构兼容设计的半导体器件的方法包括：在晶体管(TR)层中形成晶体管组件；并执行制造附加组件的以下操作中的一种(A)埋入式电源轨(BPR)类型的架构，(B)非埋入式电源轨(非BPR)类型的架构。步骤(A)包括，在相应的sub‑TR层中形成各个非伪sub‑TR结构，以及在相应的supra‑TR层中形成各个伪supra‑TR结构，该伪结构是相应的第一伪像。步骤(B)包括，在相应的supra‑TR层中形成各个非伪supra‑TR结构，并形成各个伪supra‑TR结构，该伪结构是相应的第二伪像，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380703 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110592173.7
(22)申请日 2021.05.28
(30)优先权数据
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