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P沟道的平面型VDMOS和平面型IGBT.pdfVIP

P沟道的平面型VDMOS和平面型IGBT.pdf

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    本发明公开了一种P沟道的平面型VDMOS和平面型IGBT，其中，P沟道的平面型VDMOS包括n阱区，所述n阱区的沟道内埋有至少一个p岛，所述p岛为p型区，所述p型区采用p型半导体元素形成。本发明提供的P沟道的平面型VDMOS和平面型IGBT，通过在器件的n阱区的沟道内埋设p岛，能够有效调整器件的Vth的范围并且一致性更好。p岛的数量取决于具体的应用需求，相对而言，埋入的p岛的数量越多，器件的Vth值越高。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363324 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 20201

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