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发光二极管结构.pdf

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    一种发光二极管结构包括基板、框体、发光二极管芯片以及透光层。框体位于基板上且与基板共同构成一凹部，框体具有20％至40％的光反射率。发光二极管芯片位于凹部内的基板上。透光层填入凹部内以覆盖发光二极管芯片，其中发光二极管芯片的侧面发光强度大于其顶面发光强度。本案的能发光二极管结构能进一步扩大发光角度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363367 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 20201

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