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本发明提供一种单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺,在单晶断苞后自动阶段下降进行回熔单晶回熔时,在每一阶段中,测量回熔单晶的初始重量,并将该回熔单晶下降一定距离至硅溶液液面下,在预设的回熔时间内进行回熔,当达到回熔时间后,进行回熔单晶是否回熔完的判定,若硅溶液内的回熔单晶回熔完,进行下一阶段下降回熔单晶回熔;否则,进行回熔状态判定。本发明的有益效果是采用自动控制,对断苞后的单晶进行阶段性回熔,且在每一阶段回熔时,自动进行单晶是否回熔完判断,降低劳动强度,提高工作效率,自动化程度高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113373510 A
(43)申请公布日
2021.09.10
(21)申请号 20201
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